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[b]据悉,这种控制器使用了一套八通道系统,在SLC NAND型固态硬盘上可以让读取速度最高达到260MB/s,写入速度也能达到240MB/s,同时4KB随机写入IOPS也能达到8000.[/b]
如此指标无疑是震撼性的,此前三星宣布的256GB固态硬盘也才不过达到读取200MB/s、写入160MB/s.Mtron现在不但再次大幅度提速,还很好地保持了读写的平衡性.
Mtron CEO Steve Jeon表示:“这种新控制器不但可以改善(固态硬盘的)性能,还能提高可靠性,避免一般闪存芯片的错误和不稳定性.基于我们的第一代控制器计数,Mtron将在下一代(固态硬盘)控制器市场上继续保持领先地位.”
Mtron计划在明年初的新款固态硬盘产品上部署这种新型高速控制器,不过很可能只是企业级产品.
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